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| 所属分类： |
石油化工及冶金 |
项目来源： |
自创 |
| 技术持有方姓名： |
中国科学院上海硅酸盐研究所 |
所在地域： |
上海 |
| 是否中介： |
否 |
是否重点项目： |
否 |
技术简介：
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其特征为（1）富锆PZT陶瓷的Zr/Ti=（90-99.9）：（10-0.1）；（2）烧结添加物为Ta2O5、Sm2O3、Eu2O3、WO3或V2O5中一种，以富锆PZT陶瓷为基准，添加量为1.5wt%-8wt%；（3）所述烧结温度为970-1100℃。
该发明专利提供的低温烧结技术，在烧结添加剂有效作用下，可将富锆PZT材料烧结和电极制作一次完成，以满足多层功能器件集成过程中不使用贵金属的目的，而其热释电系数、介电损耗等又能满足使用要求。
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