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所属分类: |
冶金 |
项目来源: |
自创 |
技术持有方姓名: |
中国科学院上海冶金研究所 |
所在地域: |
上海 |
是否中介: |
否 |
是否重点项目: |
否 |
技术简介: |
该实用新型专利是一种以玻璃为衬底的单晶硅体微机械加工梳状电容式加速度传感器。 该传感器采用硅-玻璃键合结构,利用单晶硅深反应离子刻蚀(DRIE)技术进行叉指成型刻蚀,可增加器件厚度至上百微米,大幅度增加器件静态电容,便于信号检测。该传感器的设计可在实现可动结构悬空的同时有效保证固定叉指的锚定,并避免差分电容极板静电力对中间质量块形成扭矩。传感器采用折叠梁结构,较之直梁结构可获得较高的灵敏度。 |
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