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| 所属分类： |
冶金 |
项目来源： |
自创 |
| 技术持有方姓名： |
中国科学院上海冶金研究所 |
所在地域： |
上海 |
| 是否中介： |
否 |
是否重点项目： |
否 |
技术简介：
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该发明是一种用半导体集成电路工艺和微机械工艺制造的薄膜热电堆。
以硅片为衬底，热电堆中的热电偶由二种热电薄膜条夹在二氧化硅和氮化硅膜隔离层中，并通过引线孔串联成热电堆。热电堆中心为热端辐射吸收接收区，下面是凹坑和冷端硅片框架，凹坑顶部为电介质支撑膜。芯片上还设计有使热端暴露接收辐照，冷端和热电偶条被盖住的绝缘隔热膜以及膜上的一层或多层高反射散热层。
该专利是一种性能优良，作了实质性改进的薄膜热电堆。 |
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