技术简介: |
人造金刚石目前多用高压(>104大气压)、高温(>1500℃)合成,成本高技术复杂,而且合成的是微粒,不能成膜,限制了它的应用。我们开发了在低温(<950℃)、低压(<十分之一大气压)下,用热解化学气相沉积(CVD)或电子增强CVD技术生长金刚石膜。膜特性如下:硬度9000(维氏),导热率11W/cm.K,电阻率~1011Ωcm,面积(直径)3英寸以上。 金刚石膜应用范围很广:如微电子,光电子器件的散热元件,金刚石涂层刀具,红外光,激光器窗口等。 世界上唯一能提供金刚石膜制备的是美国爱斯特公司,采用的是微波等离子体CVD技术。生长率6-9μm/h,面积(直径)2英寸,电阻率约1012Ωcm。做为散热元件和涂层刀具,电阻率要求可以降低,我们采用电子增强CVD技术,生长速度可大于10μm/h,该公司每台设备售价15万元,我们的估计约3万美元(约25万人民币)。 据有关资料,美国电报电话公司将CVD金刚石膜用于激光二极管这一项目。1995年达2亿美元。日本佳友、三菱等公司用CVD金刚石膜每年花费约4000万美元,可见市场前景很大。用本制备技术主要原料为甲烷及氢气。每台主机设备约25万人民币,进口约15万美元,小型为10万美元。 本项目成果可与有关生产厂家进行合作开发或其他形式均可。
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