新颖多矽材料及由此而形成的半导体装置<%=id%>

所属分类：	冶金	项目来源：	自创
技术持有方姓名：	HKUST RandD Corp Ltd	所在地域：	港澳台
是否中介：	否	是否重点项目：	否
技术简介：	背景：金属感应侧结晶（MILC）技术原先是作为制备高性能多矽TFTs（7.1）的低温（<550℃）结晶技术的。由于过程温度的上限是600℃，所以低温技术被用于在较为廉价的玻璃感光底层上商用平板显示（FPD）的实现。 MILC多矽的形成始于LPCVD无定型矽（a-Si）的沈积和成型。随后是薄层的Ni蒸发到选定的产生a-Si岛的区域。在炉温450-630℃的惰性环境中产生MILC。结晶化从被Ni包裹的区域横向地开始，直至需要结晶的区域被结晶为止。高温处理：不同于常规的FPD，也就是说不受低温限制，经高温处理的多矽已被用于其他用途，如微电机系统（MEMS）[7.2]和三维积体电路[7.3]等。先前对用常规低压化学蒸发沈积（VPCVD）的多矽薄膜的再结晶的研究[7.4]显示高温处理只会导致多矽有限的颗粒增长，因此，在材料和装置方面是有所改进。多矽再结晶：在MILC以后，再结晶是在惰性环境中的高温（>850℃）状况下完成的。材料质量的显著改进源自热处理。可选用一系列加热工艺来进行再结晶。如果底层是单结晶矽、多矽、石英或其他耐高温材料，那么用常规炉或快速热退火就足够了。如果底层不耐高温，那么应考选用处理或镭射感应热处理。应用：高温多矽再结晶MILC的两项特殊用途是（1）感测器的装置（2）用于FPDs的TETs和三维积体电路。对感测器而言，可用再结晶MILC形成高规范因数压电电阻或高敏感度电热调节器。对可传送显示，可通过高温相容透明石英底层来实现多矽的再结晶MILC。对不可传送（反射或放射）的显示，可通过廉价的大批多矽底层实现多矽的再结晶MILC。比现有技术的优越性：可利用显著改进的材料和再结晶的MILC多矽装置质量制作成本低廉的大批多矽或其他高温相容底层，在此基础上生产集成感测器和不可传送的显示系统。适用范围：直接用途：可用于大部分用多矽制成的感测器：用石英或其他用高温相容透明底层的可传送平面显示；或用于多矽或其他与高温相容、不透明底层的不可传送显示。未来的用途：用多矽作底层的集成感测器和显示系统。

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