一种合成GaN纳米材料的方法<%=id%>

所属分类：	生物化学	项目来源：	自创
技术持有方姓名：	中国科学院物理研究所	所在地域：	北京
是否中介：	否	是否重点项目：	否
技术简介：	该发明为一种热液合成GaN纳米材料的方法。其合成步骤如下：1、将待参与反应的高纯金属Ga、易分解氨盐、液氨和高压釜及其密封零件全部装入真空手套箱中，并使该手套箱的真空度达到1Pa以下，然后充入氮气或氩气；2、将称量好的金属Ga2～5克和易分解的氨盐0.50～2.50克装入高压釜中；3、高压釜经液氮充分冷却处理，使其低于液氨的气化温度后，放入真空手套箱中，并保持在该低温状态，按充满度50%～80%倒入液氨；4、立即将高压釜的密封塞和带螺纹的密封帽装上并拧紧，加以初步密封，所有操作都应快速进行，将装好的高压釜从真空手套箱中取出，并固定在密封工作台上将高压釜作进一步拧紧密封；5、将封好的高压釜放入加热炉内升温至350～500℃，恒温3～4天，取出反应物，经蒸馏水或酒精清洗后，即可获得纯度近100%的纳米级的GaN材料。用该方法获得GaN纳米材料的纯度高，从X-射线衍射谱线来看无任何其它物相的杂线，产率近100%。该发明设备简单，成本低廉，高效，便于工业化批量生产。