高温压力传感器芯片的制作方法<%=id%>

所属分类：	铸造	项目来源：	自创
技术持有方姓名：	中国科学院上海冶金研究所	所在地域：	上海
是否中介：	否	是否重点项目：	否
技术简介：	这种高温压力传感器芯片的制作方法，最为关键的工艺是将有单晶碳化硅化延层的硅片与外层被氧化的硅片用浓硫酸清洗，再用去离子水冲洗，然后将其中硅片的碳化硅面与另一硅片的氧化硅面进行键合，最后将其放入氢氧化钾溶液中腐蚀，去除碳化硅外延层的衬底硅层。这种方法不仅简化了高温压力传感器芯片的制作工艺，而且保证了这样制造出来的芯片的单晶碳化硅高温半导体特性的充分发挥。