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    一种合成GaN纳米材料的方法<%=id%>


    所属分类: 石油化工及冶金 项目来源: 自创
    技术持有方姓名: 中国科学院物理研究所 所在地域: 北京
    是否中介: 否  是否重点项目: 否 
    技术简介:
    合成步骤如下:1、将待参与反应的高纯金属Ga,易分解氨盐,液氨和高压釜及其密封零件全部装入真空手套箱中,并使该手套箱的真空度达到1Pa以下,然后充入氮气或氩气;2、将称量好的金属Ga2-5克和易分解的氨盐0.50--2.50克装入的高压釜中;3、高压釜事先经液氮充分冷却处理,使其低于液氨的气化温度后,再放入真空手套箱中,并保持在该低温状态,按充满度50--80%倒入液氨;4、立即将高压釜的密封塞和带螺纹的密封帽装上并拧紧,加以初步密封,所有操作都应快速进行,将装好的高压釜从真空手套箱中取出,并固定在密封工作台上将高压釜作进一步拧紧密封;5、将封好的高压釜放入加热炉内升温至350--500度,恒温3-4天,取出反应产物,经蒸馏水或酒精清洗后,即可获得纯度近100%的纳米组的GaN材料。
         

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