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| 所属分类： |
综合其他 |
项目来源： |
自创 |
| 技术持有方姓名： |
中国科学院金属研究所 |
所在地域： |
辽宁 |
| 是否中介： |
否 |
是否重点项目： |
否 |
技术简介：
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该发明专利是一种在钛碳化硅(Ti3SiC2)材料表面制备硅化物涂层的方法，属于表面工程技术。
渗料由硅粉、氧化铝粉、氟硅酸钾、氟化钠固体粉末混合物组成，Ti3SiC2材料用渗料包埋后在1000-1200℃保温2-8小时进行热扩散处理。
所获得的涂层由二硅化钛（TiSi2）和碳化硅（SiC）两相组成，厚度为10-60微米。涂层在1000-1200℃空气中氧化后主要形成SiO2膜，恒温氧化的抛物线速度常数相比Ti3SiC2材料降低了2-3个数量级。该专利使得Ti3SiC2材料可以应用于高温腐蚀性环境中。
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