氧化膜外延设备<%=id%>

所属分类：	综合其他	项目来源：	自创
技术持有方姓名：	中国科学院半导体研究所	所在地域：	北京
是否中介：	否	是否重点项目：	否
技术简介：	该实用新型专利是一种以强氧化剂和强还原剂为源生成氧化膜的外延设备。该设备反应罩的上部有两个进气口，它们分别连通气体源气路和液体源气路。在位于石英反应罩内的转台与两个进气口之间，设有一块防止从气体源或液体源主路中进入的两路源气在反应室空间相遇的隔板。石英反应罩下端位于底座上，底座连通反应室腔工通过抽气管道与抽气泵相通，底座一侧还设有进样品窗口。底座上设使反应室腔内转杆转动的传动机构，两三通阀的另一路与热分解炉相通再与抽气泵相通。