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发明人背景:1963年毕业于上海交通大学并分配至北京真空电子技术研究所，一直从事电子材料及应用，真空电子技术工艺的开发研究，1987年被评聘为高级工程师，曾分别与有关同志一起，先后获得了国家发明三等奖，四等奖，国家科技进步三等奖，及电子部科技进步一等奖各一次。参与了中国大百科全书及电子工业生产技术手册有关真空电子材料的编撰工作。
技术简介:本发明是关于采用活性合金焊料箔将真空开关管陶瓷管壳（无需金属化）与廉价金属（不锈钢，无氧铜等）端盖进行名副其实的非匹配性一步封接的方法。该方法简捷，操作方便，可根本避免高温金属化法的一系列技术困难；也可以避免活性金属粉末封接法操作麻烦，封接强度较低，易于发生慢漏等现象。该方法封接反应界面附近的扩散过渡层很簿（一般不超过3微米），致密、均匀，不存在高温金属化法产生的脆硬烧结层（通常约为40-50微米），与其两旁的陶瓷基体和焊料合金连接强度高，气密性好；由反应产物与陶瓷基体热膨胀或多或少存在不匹配而引起的附加残余热应力可忽略，因而能获得高塑性高强度高气密性的高可靠陶瓷-金属直接封接。 |
