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    纯碳粉水基分散一步法制造反应烧结碳化硅陶瓷材料的方法<%=id%>

     
     
         项目名称:纯碳粉水基分散一步法制造反应烧结碳化硅陶瓷材料的方法
         所属技术领域:化学化工、石油、冶金
         专利号:00114425.1
         所有权人:武汉理工大学
     
    发明人背景:学历:本科,专业:无机非金属材料,技术职称:教授,现任职务:硅酸盐材料工程教育部重点实验室(理工大学)副主任。 技术简介:利用工业碳素为原料制成碳坯,经高温渗硅原位合成反应烧结碳化硅工程陶瓷。该方法取代了预先合成碳化硅,再以碳化硅粉为原料制备碳化硅陶瓷的传统方法。材料性能超过了国内外硅化石墨产品,达到或超过了传统的反应烧结碳化硅材料的性能水平,其产品密度达3.00-3.13(g/m3),抗折强度(室温)400-500(MPa),气孔率≤0.1%,热膨胀系数4.3×10-6℃-1热传导系数50(W•k-1•m-1),弹性模量280-320(GPa)。本方法具有原料来源广泛,价格低廉,节能降耗的优点。本产品广泛用于机械工程陶瓷产品如机械密封材料和耐磨蚀衬体,以及窑具类高温制品的制备,具有良好的应用前景。
      武汉理工大学
    联系人:武七德
    联系电话:027-87651855 13871335745
    传 真:027-87883743
    Email: 网 址:
    地 址:(430070)湖北武汉市武汉理工大学硅酸盐工程中心 发布日期:2004-5-18
         

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