一种低电容半导体过压保护器芯片<%=id%>

低电容半导体过压保护器芯片，包括N硅片衬底中间层、对称置于N 硅片衬底中间层两侧表面、并相互连接的基区、发射区和短路点，其特征在于芯片呈圆形，圆形芯片的上下表面周边置有刻蚀槽。所述刻蚀槽的内侧壁置有玻璃钝化层，所述短路点、发射区和基区表面置有金属层。圆形结构设计中，增大了发射区的有效面积，消除了多余硼扩散区，使它拥有相对较低的电容，设计和工艺满足电路的电参数要求，过压保护效果好。还由于设计成圆形结构，可以合理排版重复，增加它在圆形硅片上的有效使用面积。
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