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    在IC芯片上形成去耦电容的方法及其装置<%=id%>
    事务所. 代.. 理.. 人：. 余明伟
    .
    . 摘要　.
    .本发明提供一种在IC芯片上形成去耦电容的方法及其装置，通过由IC芯片的低金属覆盖区域形成数个金属层，并将金属层分别与地线、电源电压相连接，以在满足金属覆盖规则下形成可作为去耦电容的寄生金属电容，达到有效利用芯片空间的目的。
    . 主权项 　.
    .
    .

    中国科技资讯网
    .
         

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