原位非接触探测MOCVD石墨温度分布的方法<%=id%>

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主分类号: 　.. .G01J5/50(2006.01)I.. 范畴分类: 　.. ...

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分类号: 　.. .G01J5/50(2006.01)I;G01K13/00(2006.01)I..

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优先权: 　.. ...

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申请（专利权）人: 　.. .中国科学院半导体研究所..

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地址: 　.. .100083北京市海淀区清华东路甲35号..

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发明（设计）人: 　.. .刘祥林;赵凤瑷;焦春美..

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国际申请: 　.. ...

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国际公布: 　.. ...

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进入国家日期: 　.. ...

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专利代理机构: 　.. .中科专利商标代理有限责任公司..

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代理人: 　.. .周国城..

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分案申请号: 　.. ... 国省代码: 　.. .北京;11..

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颁证日: 　.. ... 光盘号: 　.. .D0641-1..

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摘要: 　..

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本发明涉及一种原位非接触探测金属有机物化学气相沉积(MOCVD) 石墨温度分布的方法。该方法是利用数码相机对石墨进行拍摄，并根据需要在相机镜头前加滤光镜，然后利用电脑读取所拍摄的图像中的数据文件，根据文件所记录的构成每个象素点的三基色(红、绿、蓝)分量值的大小来确定石墨的温度分布特性。该方法不仅成本低、温度分辨率和空间分辨率很高，而且多点同时测量，测量速度快，可以进行数字处理、记录和保存。　..

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主权项: 　..

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1.一种原位非接触探测MOCVD石墨温度分布的方法，其特征是，采用数码相机对石墨进行拍照，根据数码相机所记录的图片的数据来分析石墨温度分布的特性；包括步骤(1)，用数码相机对整块石墨进行拍照；(2)，用电脑读入数码相机的数据，分析每一个象素点的分量；(3)，以所得的象素点的分量数据，对比取样象素点的相应分量值，并根据“黑体辐射”规律来确定石墨温度分布。 ..

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