一种锆钛酸铅铁电薄膜材料的制备方法<%=id%>

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. 摘要　.
.一种锆钛酸铅铁电薄膜材料的制备方法，属于电子材料技术领域，涉及氧化物电极与PZT 薄膜生长取向的薄膜电容的制备。首先采用激光蒸发沉积法在MgO(100)基片上沉积LNO 底电极；然后采用射频磁控溅射法在LNO底电极薄膜上沉积PZT铁电薄膜；接着采用直流磁控溅射法在PZT铁电薄膜上沉积Pt上电极；最后对PZT薄膜进行快速晶化处理。本发明制备的PZT铁电薄膜材料中，LNO和PZT同为(110)取向，PZT剩余极化达23.5μC/cm2 -35.8μC/cm2，矫顽场达76.3kV/cm-120kV/cm，电滞回线形状饱和；LNO底电极表面光滑，颗粒均匀；PZT薄膜介电常数达200-570，损耗为5％-45％，经过108次反转，饱和极化和剩余极化分别只下降6％和12％，抗疲劳特性高于Pt底电极的PZT薄膜，漏电流密度达 10-9A数量级，可用于薄膜电容器、铁电存储器等。
. 主权项　.
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