|
|
|
|
|
|
一种半导体刻蚀工艺中控制反应腔室晶片温度的方法<%=id%> |
|
|
|
公司. 代.. 理.. 人:. 蔡世英 . . 摘要 . .本发明涉及半导体刻蚀领域,本发明是一种半导体刻蚀工艺中控制反应腔室晶片温度的方法,本发明的方法在试验的基础上,获得腔室温度和温控器之间的一个对应关系,也就是记录下,当腔室温度升高时,相应的需要将温控器的温度调节为多少,可以将硅片的温度保持在正常值范围内。将这些对应关系保存在一个数据库中,在工艺过程中,根据腔室温度的变化,查找数据库,实时的调整温控器的温度,从而控制硅片的温度;由于采用以上技术方案,系统能根据反应腔室温度的变化,实时查找数据库,实时调整温控器的温度,从而控制硅片的温度处于正常值,提高了晶片的刻蚀效果。 . 主权项 . . .
.
中国科技资讯网
.
|
|
|
|
设为首页 | 加入收藏 | 广告服务 | 友情链接 | 版权申明
Copyriht 2007 - 2008 © 科普之友 All right reserved |