低电容过压保护器件及其生产工艺<%=id%>

.. 上海东亚专利商标代理有限公司. 代.. 理.. 人：. 童素珠
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. 摘要　.
.一种涉及防雷系统中的低电容过压保护的半导体器件，尤指一种主要在高频领域应用的，其电容要求在30pF以下的低电容过压保护器件及其生产工艺。该装置由发射结、集电结、引脚及引线框架的半导体器件等组成，该芯片由三个P-N结组成双端四层双向对称结构，每一组自上而下依次分别掺杂为N2、P2、N1、P1四层；其生产工艺包括：玻璃钝化及台面工艺，高阻的衬底材料和减小调整层有效面积技术等方法，主要解决如何减小调整层有效面积及其如何降低电容的方法等有关技术问题。本发明的优点：该器件具有三个P-N结组成的双端四层双向对称结构，减少了表面漏电，减少了结电容，提高了电流耐力di/dt，提高了可靠性，降低了成本。
. 主权项　.
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