高性能金属/绝缘体/金属结构的电容器及其制备方法<%=id%>

证.... 日：... 优.. 先.. 权：..
申请(专利权)人：.. 复旦大学.
地......... 址：. 200433上海市邯郸路220号
发明 (设计)人：. 丁士进;黄宇健;张卫. 国. 际申请：..
国. 际. 公. 布：.. 进入国家日期：..
专利代理机构：.. 上海正旦专利代理有限公司. 代.. 理.. 人：. 陆飞;盛志范
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. 摘要　.
.本发明属半导体集成电路制造技术领域，具体为一种适合射频、模拟和混合信号集成电路的高性能金属/绝缘体/金属(MIM)电容器及其制备方法，该电容器以原子层淀积方法制备的Al2O3/HfO2纳米叠层结构作为绝缘介质，以TaN做为上、下金属电极。所制得的电容器可分别满足射频旁路电容器和模拟电容器的基本要求，主要表现为：在10k～20G赫兹范围内稳定的高电容密度12.8fF/μm2，在3.3V室温下的漏电为3.2×10-8A/cm2，在1MHz 时电容的电压线性系数为240ppm/V；对于电容密度为3.13fF/μm2的电容器，在3.3V和125 ℃时漏电为1×10-9A/cm2，在100kHz时电容的电压系数为100ppm/V2。
. 主权项　.
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