射频微电子机械双膜桥并联电容式开关及其制备方法<%=id%>

：.. .210096江苏省南京市四牌楼2号..

发.明.(设计)人：.. .廖小平;董乔华 .. 国 .际申请：.. ...

国..际..公..布：.. ... 进入国家日期：.. ...

专利.代理.机构： .. .南京经纬专利商标代理有限公司 .. 代...理...人：.. .叶连生..

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..摘要　 ..

.射频微电子机械双层膜桥并联电容式开关用于射频微波电路中。该结构使用双端固支梁作为开关膜桥，采用双层膜结构解决了由于射频高功率引起的自执行和自锁效应。具体的结构为：开关做在砷化镓衬底上(1)；开关以共面波导为端口(2)；开关桥是信号线的一部分(3)，采用双端固支梁实现；在信号线开关桥的上方是共面波导地线的连接线(4)，也是开关的地耦合线；在信号线开关桥的下方是直流控制电极(5)；在直流电极(5)以及地线连接线(4)与开关桥(3)相对的面上都长有一层氮化硅介质层(91、92)。采用 MMIC工艺制作，利用聚酰亚胺作为牺牲层。该开关延续了MEMS开关低功耗、高隔离度和低插入损耗以及较好线形度的优点。..

..主权项　 ..

.1、一种射频微电子机械双膜桥并联电容式开关，其特征是：该开关做在砷化镓衬底(1)上，由共面波导端口(2)、开关桥(3)、地线连接线(4)、直流控制电极(5)、共面波导地线匹配区域(6)、氮化硅上介质层(91)、氮化硅下介质层(92)组成；共面波导地线位于砷化镓衬底(1)上的四周，开关桥(3)位于砷化镓衬底(1)上的中间，同时也是信号线的一部分，采用双端固支梁实现；在信号线开关桥(3)的上方是共面波导地线的连接线(4)，也是开关的地耦合线；在信号线开关桥(3)的下方是直流控制电极(5)；在直流控制电极(5)上面长有氮化硅上介质层(91)，氮化硅上介质层(91) 与开关桥(3)之间是下间隙(81)，在地线连接线(4)的下面长有一层氮化硅下介质层(92)，氮化硅下介质层(92)与开关桥(3)之间是上间隙(82)。 ..

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