|
|
|
|
|
|
高品质半导体发光材料ZnO纳米囊的制备方法<%=id%> |
|
|
|
>. . 摘要 . .本发明涉及一种高品质半导体发光材料ZnO纳米囊的制备方法。本发明选取醋酸锌粉末到双氧水中搅拌溶解,调节其pH值约为8~11,放入密闭高压反应釜中,在190~200℃及自身压力下水热反应12~18 小时,晶化产物经抽滤后用去离子水洗涤,干燥,即得所需产物。解决了模板法工艺复杂、条件苛刻、成本高、提纯难且大小受限于模板尺寸等和化学气相沉积法需贵金属催化剂,设备昂贵、能耗较高,难以控制,重复性不好,产率低、颗粒大,难以规模化生产等缺陷。本发明原料便宜、无毒、无污染,无须模板和催化剂,工艺简化,成本低,易于规模化生产,产品纯六方相、粒径分布范围窄、具有优良光致发光性能的ZnO纳米囊,无其它有机物和金属离子污染。 . 主权项 . .1.一种高品质半导体发光材料ZnO纳米囊的制备方法,其特征在于步骤如下: (1)选取醋酸锌粉末,加入到双氧水溶液中充分搅拌溶解; (2)调节其pH值为8~11; (3)将其放入密闭的高压反应釜中,在190~200℃及自身压力下水热反应12~18小时; (4)晶化产物经抽滤后,用去离子水洗涤,干燥,即得所需产物。. .
中国科技资讯网
.
|
|
|
|
设为首页 | 加入收藏 | 广告服务 | 友情链接 | 版权申明
Copyriht 2007 - 2008 © 科普之友 All right reserved |