调节磁控溅射反应气体分压制备Ti-Si-N膜的方法<%=id%>

. 公. 布：.. 进入国家日期：..
专利代理机构：.. 上海交达专利事务所. 代.. 理.. 人：. 王锡麟王桂忠
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. 摘要　.
.一种薄膜技术领域的调节磁控溅射反应气体分压制备Ti-Si-N膜的方法。本发明采用直流反应磁控溅射，溅射靶为Ti-Si镶嵌靶，工作气氛为氮气和氩气的混合气氛，Ti-Si镶嵌靶上Ti、Si有效溅射面积比固定，总工作气压固定，通过在0.002Pa-0.04Pa之间改变氮气分压，制备得到Ti-Si-N纳米复合膜。本发明可以简化原有的工艺方法，仅通过改变一种反应气体的气体分压就可方便地控制膜层的成分、微观组织结构和力学性能，具有较强的实用性。
. 主权项　.
.1、一种调节磁控溅射反应气体分压制备Ti-Si-N膜的方法，其特征在于，采用直流反应磁控溅射，溅射靶为Ti-Si镶嵌靶，工作气氛为氮气和氩气的混合气氛，Ti-Si镶嵌靶上Ti、Si有效溅射面积比固定，总工作气压固定，通过在0.002Pa-0.04Pa之间改变氮气分压，制备得到Ti-Si-N纳米复合膜。.
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中国科技资讯网
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