镶嵌式金属绝缘体金属电容结构与自对准氧化工艺<%=id%>

.. 台湾积体电路制造股份有限公司.
地......... 址：. 台湾省新竹市新竹科学工业园区新竹市力行六路八号
发明 (设计)人：. 周友华;王琳松;林志隆;施宗仁;王英郎. 国. 际申请：..
国. 际. 公. 布：.. 进入国家日期：..
专利代理机构：.. 北京连和连知识产权代理有限公司. 代.. 理.. 人：. 高翔
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. 摘要　.
.一种自对准的金属绝缘体金属电容结构及其形成方法，此方法包含在介电绝缘层中形成金属填充镶嵌，且其具有曝露表面；形成金属前驱物层在此曝露表面上；对此金属前驱物层进行一工艺，此工艺选自氧化工艺与氮化工艺所组成的族群，以形成电容介电部分；以及形成导电的电极层在此电容介电部分上。
. 主权项　.
.1.一种形成电容结构的方法，其特征是至少包含：形成底电极层，具有曝露表面；使用金属前驱物以形成金属前驱物层在该底电极层的该曝露表面上；对该金属前驱物层进行一工艺，该工艺选自氧化工艺与氮化工艺所组成的族群，以形成电容介电部分；以及形成顶电极层在该电容介电部分上。.
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中国科技资讯网
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