集成电路及其制造方法<%=id%>

专利代理机构：.. 北京林达刘知识产权代理事务所. 代.. 理.. 人：. 刘新宇
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. 摘要　.
.本发明提供一种集成电路及其制造方法。所述集成电路包括一导电层于一介电层中的一沟槽中，以及一渐层顶盖层于该导电层上，其中该渐层顶盖层包括一渐层的金属合金，于邻近该导电层的浓度大于或等于95at％钴、镍、或上述的组合以及于该导电层相对端的浓度小于或等于95at％钴、镍、或上述的组合。本发明提供一种顶盖层、胶着层、保护/阻障层、或渐层顶盖层于集成电路中的导电层上，其与导电层间具良好粘着性质且能阻障导电层扩散进入层间介电层，以改善集成电路的电性如电阻率及导电性。
. 主权项　.
.1.一种集成电路，所述集成电路包括：一导电层于一第一介电层中的一沟槽中；以及一渐层顶盖层于该导电层上。.
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