集成电路反剥离光刻方法<%=id%>

.. 理.. 人：. 马应森曾权
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. 摘要　.
.集成电路反剥离光刻方法，涉及一种集成电路光刻方法，尤其是涉及一种采用改进的反剥离工艺的集成电路光刻方法。提供一种改进的集成电路反剥离光刻方法。其步骤为在硅片表面先后涂增粘剂层和反转光刻胶层后烘胶，烘胶后在硅片表面再次涂反转光刻胶层，前烘后掩膜曝光，用掩膜板遮挡；反转烘后泛曝光，再显影，淀积金层，金厚度为2μm；将溅射好金的硅片用丙酮浸泡至少4h；将浸泡过丙酮的硅片放入超声仪中进行超声剥离。解决了业内一直没有解决的在金膜较厚情况下反剥离工艺技术问题，通过工艺流程与工艺条件的改进，尤其是在涂胶工艺中，采用先涂一层胶，然后烘干后再涂第二层的工艺，显著地加厚了光刻胶的厚度，使反剥离工艺得到改进。
. 主权项　.
.1、集成电路反剥离光刻方法，其特征在于其步骤如下： 1)在硅片表面涂增粘剂层； 2)在硅片表面增粘剂层上涂反转光刻胶层； 3)烘胶：温度为90～100℃，时间为5min～10min； 4)烘胶后在硅片表面再次涂反转光刻胶层，反转光刻胶层厚度为1.7～1.9μm； 5)前烘：温度为92～100℃，时间为10～12min； 6)掩膜曝光：曝光时间为9.8s，用掩膜板遮挡； 7)反转烘：温度为85～90℃，时间为10～15min； 8)泛曝光：时间为10.1s； 9)显影：时间为60～80s； 10)淀积金层：金厚度为1.8～2.2μm； 11)将溅射好金的硅片用丙酮浸泡至少4h； 12)将浸泡过丙酮的硅片放入超声仪中进行超声剥离。
中国科技资讯网
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