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机构:.. 隆天国际知识产权代理有限公司. 代.. 理.. 人:. 王玉双 潘培坤 . . 摘要 . .本发明提供一种集成电路(IC)的制造方法,可在口袋掺杂与延伸掺杂完成后,于栅极侧壁形成超低温间隙壁;也可在超晕圈形成后,进行高斜角的延伸掺杂;或可在延伸掺杂后,进行固相外延,再进行低温制程,或者也可在进行口袋掺杂后,先进行热回火,然后再进行上述的延伸掺杂步骤;或者可先进行高能量低剂量的倾斜源极/漏极掺杂,再进行高剂量的源极/漏极掺杂。 . 主权项 . .1.一种集成电路的制造方法,至少包括如下步骤: 提供一基板,其中该基板上至少已形成一栅极结构,且该栅极结构至少包括依序堆迭的一介电层以及一导电层; 对该基板进行高斜角的一口袋掺杂步骤; 在该栅极结构的侧壁上形成一偏移间隙壁;以及 对该基板进行一延伸掺杂步骤。.
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