用粉末注射成形/压力熔浸法制备电子封装材料的方法<%=id%>

R>专利代理机构：.. 北京科大华谊专利代理事务所. 代.. 理.. 人：. 刘月娥
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. 摘要　.
.本发明提供了一种用粉末注射成形/压力熔浸法制备电子封装材料的方法，属于电子封装材料制备技术领域。首先配料、混合，将SiC颗粒与粘结剂以体积比为：(55～75)∶(45～25)混合，然后采用挤压连续式混炼法混料，混料冷却后用球磨机研磨，再进行注射成形，对注射成形后得到的坯件进行脱脂处理。本发明所述的SiC颗粒选用7～28μ m，粘结剂成分质量比为：石蜡∶聚乙烯∶硬脂酸＝(5～7)∶(5～3)∶ (1～2)。本发明的优点在于：能够制备SiC含量55～75％的SiCp/Al 电子封装材料，导热率为160～185W/m-K、密度为2.9～3.1g/cm3、热膨胀系数为7.0～9.0×106/K，实现了近终成形、尺寸精度高、成本低。
. 主权项　.
.1、一种用粉末注射成形/压力熔浸法制备电子封装材料的方法，其特征在于制备工艺为：首先配料、混合，将SiC颗粒与粘结剂的体积比为： 55～75∶45～25混合，然后采用挤压连续式混炼法混料，混料冷却后用球磨机研磨，再进行注射成形，对注射成形后得到的坯件进行脱脂处理；所述的SiC颗粒选用7～28μm，粘结剂成分质量比为：石蜡∶聚乙烯∶硬脂酸＝5～7∶5～3∶1～2。.
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