制造具有小多晶晶粒的SiGe层的方法及相关结构<%=id%>

2633 英
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进入国家日期: 　. 2005.11.11
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专利代理机构: 　. 北京市中咨律师事务所
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代理人: 　. 杨晓光李峥
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分案申请号: 　.. 国省代码: 　. 美国;US
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颁证日: 　.. 光盘号: 　. D0624-1
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摘要: 　
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所公开的实施例为一种制造SiGe层的方法，所述方法包括在第一压力下在单晶区(图3B的306)和至少一个隔离区(图3B的314与316)上沉积硅缓冲层(图3B的325)，其中在所述至少一个隔离区(图3B的314 与316)上所述硅缓冲层(图3B的325)为连续的，即包括小多晶晶粒。所述方法还包括在第二压力下在所述硅缓冲层(图3C的325)上形成硅锗层(图3C的327)，其中在所述至少一个隔离区(图3C的314与316) 上所述硅锗层(图3C的327)也是连续的，即包括小多晶晶颗粒。在一个实施例中，所述第一压力小于所述第二压力。在另一个实施例中，根据上述方法制造一种结构。　
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主权项: 　
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1.一种在半导体芯片中制造结构的方法，包括以下步骤：在第一压力下在单晶区和至少一个隔离区上沉积硅缓冲层，其中在所述至少一个隔离区上所述硅缓冲层是连续的；以及在第二压力下在所述硅缓冲层上形成硅锗层，其中在所述至少一个隔离区上所述硅锗层是连续的。.
中国科技资讯网
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