改善氮化镓基半导体发光二极管欧姆接触的合金方法<%=id%>

标代理有限公司
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代理人: 　. 郭伟刚
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分案申请号: 　.. 国省代码: 　. 广东;44
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颁证日: 　.. 光盘号: 　. D0624-1
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摘要: 　
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本发明涉及一种改善氮化镓基半导体发光二极管欧姆接触的合金方法，包括如下步骤：将做好Ni/Au透明电极的外延片进行表面处理；在流动的纯氮气环境中，将退火炉的温度恒定在550±5℃，合金10～15分钟；取出外延片进行冷却，在外延片的温度达到室温后保持10分钟；冷却后进行二次合金，即在含氧气流下，将退火炉的温度恒定在550±5℃，合金5-20分钟，取出冷却。由于本发明的改善氮化镓基半导体发光二极管欧姆接触的合金方法，先后在纯氮的环境中和在含氧气流下进行了两次合金，从而在保证发光二极管发光效率高、比接触电阻小的同时，还能保证发光二极管的寿命长、抗静电耐高温能力好。　
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主权项: 　
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1、一种改善氮化镓基半导体发光二极管欧姆接触的合金方法，其特征在于，包括如下步骤： a)将做好Ni/Au透明电极的外延片进行表面处理； b)在流动的纯氮气环境中，将退火炉的温度恒定在550±5℃，合金 10～15分钟； c)取出外延片进行冷却，在外延片的温度达到室温后保持10分钟； d)冷却后，在含氧气流下，将退火炉的温度恒定在550±5℃，进行第二次合金5-20分钟，取出冷却
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