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请：..
国. 际. 公. 布：.. 进入国家日期：..
专利 代理 机构：.. 北京林达刘知识产权代理事务所. 代.. 理.. 人：. 刘新宇
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. 摘要 .
.本发明涉及一种半导体装置，其包括：一半导体基底，该半导体基底包括多个导电通道区；多个金属硅化物，于该半导体基底上；一应变诱发层，于这些金属硅化物上，该应变诱发层具有一大体低浓度的单核双原子化学键。本发明还涉及一种半导体装置的制造方法。
. 主权项 .
.1.一种半导体装置，包括： 一半导体基底，该半导体基底包括多个导电通道区； 多个金属硅化物于该半导体基底上； 一应变诱发层于这些金属硅化物上，该应变诱发层具有低浓度的单核双原子化学键。.
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中国科技资讯网
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