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一种制备高产量掺铟氧化锌纳米盘的方法<%=id%> |
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所. 代.. 理.. 人:. 刘月娥 . . 摘要 . .本发明提供了一种制备高产量掺铟ZnO纳米盘的方法,属于纳米材料制备技术领域。具体工艺为:将硅(100)基片用去离子水和酒精分别冲洗干净,作为沉积基片;将Zn粉、In2O3粉和C粉按摩尔比Zn∶ In2O3∶C=1∶1∶2~3∶1∶2混合,充分研磨均匀并将其置于瓷舟中,研磨时间 20~30分钟,之后将硅基片倒扣于瓷舟上;把瓷舟放入管式炉中的石英管中部,调节流量计向管中通入氩98%/氧2%混合气体300标准立方厘米/分钟。在此气氛下将管式炉升温至870~900℃并保温20~25分钟,冷却至室温,所得产品是掺铟氧化锌纳米盘。本发明的优点在于:首次制备出In/ZnO六边形纳米盘和十二边形纳米盘,在没有催化剂的条件下,实现了大范围的可控生长。 . 主权项 . .1、一种制备高产量掺铟ZnO纳米盘的方法,其特征在于:具体工艺为: a、将硅(100)基片用去离子水和酒精分别冲洗干净,作为沉积基片; b、将Zn粉、In2O3粉和C粉按摩尔比Zn∶In2O3∶C=1∶1∶2~3∶1∶2混合,研磨 20~30分钟,充分研磨均匀并将其置于瓷舟中,之后将硅基片倒扣于瓷舟上; c、把瓷舟放入管式炉中的石英管中部,调节流量计,向管内通入氩、氧混合气体,混合气体中氩为95%~99%,氧为1%~5%;通气速度为200~300标准立方厘米/分钟;在此气氛下将管式炉升温至870℃~900℃并保温20~25分钟;所得产品为掺铟氧化锌六边形纳米盘和十二边形纳米盘。.
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