双波长半导体激光发光装置及其制造方法<%=id%>

双波长半导体激光发光装置，包括：　　　　一基板；　　　　一第一激光发光元件，形成在该基板上，该第一激光发光元件具有一第一下包覆层、一第一有源层及一第一上包覆层；以及　　　　一第二激光发光元件，形成在该基板上，该第二激光发光元件具有一第二下包覆层、一第二有源层及一第二上包覆层；　　　　其中，该第二有源层堆栈在该第一上包覆层的上方，使该第一上包覆层作为该第二激光发光元件的第二下包覆层。

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