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电子从价电子带穿隧到导电带，并且回到该透明导电氧化物材料层上。根据本发明的半导体发光元件，其具有较低并且稳定的正向电压。
[权项] 一种半导体发光元件，包括： 一半导体基材； 一多层结构，该多层结构形成于该半导体基材上，该多层结构包括一发光区； 一无掺杂膜，该无掺杂膜覆盖该多层结构，该无掺杂膜由一Ｉｎ↓［ｘ］Ｇａ↓［ｙ］Ａｌ↓［ｚ］Ｎ材料形成，其中ｘ＋ｙ＋ｚ＝１，并且０≤ｘ，ｙ，ｚ≤１； 一透明导电氧化物材料层，该透明导电氧化物材料层覆盖该无掺杂膜；并且 其中该半导体发光元件的一正向电压（Ｖ↓［ｆ］）低于或等于３．７伏特。
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