挥发性存储器结构及其形成方法<%=id%>

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[权项] 一种形成挥发性存储器结构的方法，包括下列步骤：　　　　提供一基底，其具有一对相邻的沟槽，每一沟槽的下半部形成一埋入式沟槽电容；及　　　　形成一具有一高部及一低部的项圈绝缘层于每一这些沟槽的上半部侧壁，其中该高部大体设置于每一这些沟槽邻近预定形成有源区的侧壁上。

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