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进入国家日期：
专利 代理 机构： 上海智信专利代理有限公司
代 理 人： 潘振甦
摘要
本发明涉及一种硅酸镓镧晶体的坩埚下降法生长技术，属于单晶生长领域。其特征在于初始原料由La2O3：29.5－30.5，Ga2O3：51－49，SiO2：19－21(at％)组成。均匀混合后，在1150～1400℃炉温下预烧不少于12小时。再次混匀，置于不同形状的铂金坩埚中，下端置以取向确定的籽晶。在1500～1650℃下熔化原料并接种生长，生长界面温梯控制在20～60℃/cm，铂坩埚以≤3mm/h的速度下降。本方法温场稳定，工艺设备简单，操作方便，可将多只坩埚放入Bridgman单晶炉内，同时生长不同形状和尺寸的硅酸镓镧单晶。
主权项
权利要求书 1.一种生长硅酸镓镧单晶的坩埚下降法生长技术，其特征在于： (1)初始原料由3N以上的高纯La2O3、Ga2O3和SiO2按以下组成(at％) 配比而成： La2O3：29-30 Ga2O3：51-49 SiO2：19-21； (2)混合粉料在1100～1400℃炉温下预烧，保温不少于12小时； (3)将预烧后混合均匀的粉料和晶种置于经气焊密封的贵金属坩埚中； (4)坩埚置于Bridgman单晶炉内，升温熔化原料和晶种顶部，炉温控制在1500～1650℃； (5)生长界面温梯控制在20～60℃/cm，坩埚下降速度≤3mm/h。
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