薄膜晶体管液晶显示器的制作方法<%=id%>

：北京市柳沈律师事务所
代理人：陶凤波
摘要
　一种TFT－LCD的制作方法，于基板表面上形成栅极电极与扫描线，栅极电极形成于晶体管区内，扫描线会通过交错区。形成第一、第二绝缘层以及半导体层，形成位于栅极电极上方的蚀刻停止层。形成掺杂硅导电层，去除晶体管区以外及交错区以外的掺杂硅导电层、半导体层与第二绝缘层。形成透明导电层图案，形成辅助信号线以及像素电极，该辅助信号线会通过交错区。形成第二金属层覆盖该晶体管区，且于辅助信号线表面形成主信号线。在蚀刻停止层上方的第二金属层形成一开口，使蚀刻停止层暴露出来。
主权项
　权利要求书 1.一种薄膜晶体管液晶显示器(TFT LCD)的制作方法，该显示器制作于一基板(su trate)上，且该基板包括至少一晶体管(tra istor)区用来形成一薄膜晶体管(TFT)，以及至少一扫描线(scan line)与信号线(siganl line)的交错区，该制作方法包括下列步骤：于该基板的表面上形成一第一金属层；定义该第一金属层的图案(pattern)，以于该晶体管区内形成一栅极电极，并同时于该基板表面形成一通过该交错区的扫描线；于该基板表面依次沉积一第一绝缘层、第二绝缘层、以及一半导体层 (semiconductor layer)，并覆盖于该栅极电极以及该扫描线表面；于该半导体层表面形成一蚀刻停止层，且该蚀刻停止层位于该栅极电极上方；于该半导体层与该蚀刻停止层的上方全面沉积一掺杂硅(doped silicon) 导电层；定义该掺杂硅导电层、该半导体层以及该第二绝缘层的图案，以去除该晶体管区以及该交错区以外的该掺杂硅导电层、该半导体层以及该第二绝缘层；于该基板表面形成一透明导电层；定义该透明导电层的图案，以于该基板表面形成至少一辅助信号线以及至少一像素电极，该辅助信号线会通过该交错区，且该辅助信号线与该扫描线之间隔离有该掺杂硅导电层、该半导体层、该第二绝缘层以及该第一绝缘层；于该基板表面形成一第二金属层；定义该第二金属层的图案，以于该辅助信号线表面形成一主信号线，并使该第二金属层覆盖该晶体管区，同时电连接于该像素电极，接着于该蚀刻停止层上方的该第二金属层中形成一开口，使该蚀刻停止层暴露出来，以形成该薄膜晶体管；于该基板表面形成一保护层；以及定义该保护层的图案，去除该像素电极表面的该保护层，以暴露该像素 2 电极；其中该辅助信号线与该扫描线同时通过的该交错区上则存在有该掺杂硅导电层、该半导体层、该第二绝缘层以及该第一绝缘层隔离在该辅助信号线与该扫描线之间。 3

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