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导体陶瓷电容器按下列方法制成：①按照配方范围：0.95～1.05mol的SrCO3，0.95～1.05mol的TiO2，0.001～0.01mol的 2O5配制瓷料。②球磨成粉状，粒度＜1um。③在1150℃～1250℃温度下煅烧。④在上述煅烧后的粉料中添加0.001～0.01mol的MnCO3及按上述煅烧后的粉料的重量比为0.5～5wt％的助熔剂 O、Bi2O3、B2O3、CuO。⑤球磨成粉状，粒度＜1um。⑥在球磨后的瓷料中，混合与其重量比为18～23wt％的聚乙烯醇溶液，然后轧膜成型。⑦冲片。⑧排胶。⑨在1210℃～1260℃温度下，在0.05～0.75mol的H2与0.95～0.25mol的N2混合流动气体中进行还原烧结4小时，然后将温度降至950℃～1100℃，在普通大气中处理30～60分钟。⑩被银电极。本发明原料成本低，总体工艺简单，低温一次烧成，介电性能参数优良，更重要的是它适宜产业化生产。
主权项
权利要求书 1.晶界层半导体陶瓷电容器制造方法，其特征在于该方法按下列步骤依次完成： ①按照配方范围：0.95～1.05mol的SrCO3，0.95～1.05mol的TiO2， 0.001～0.01mol的 2O5配制烧块。 ②球磨成粉状，粒度＜1um。 ③在1150℃～1250℃温度下煅烧。 ④在上述煅烧后的粉料中添加0.001～0.01mol的MnCO3及按上述煅烧后的粉料的重量比为0.5～5wt％的助熔剂 O、Bi2O3、B2O3、CuO。 ⑤球磨成粉状，粒度＜1um。 ⑥在球磨后的瓷料中，混合与其重量比为18～23wt％的聚乙烯醇溶液，然后轧膜成型。 ⑦冲片。 ⑧排胶。 ⑨在1210℃～1260℃温度下，在0.05～0.75mol的H2与 0.95～0.25mol的N2混合流动气体中进行还原烧结4小时，然后将温度降至950℃～1100℃，在普通大气中处理30～60分钟。 ⑩被银电极。
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