使用空气影像仿真器来评估掩模影像的方法<%=id%>

分类号： G03F1/00;G03F7/20
颁证日：
优先权： 2000.2.29 US 09/515,348
申请(专利权)人：先进微装置公司
地址：美国加利福尼亚州
发明 (设计)人：克里斯多氟·A·史宾斯
国际申请： CT/US01/05761 2001.2.21
国际公布： WO01/65317 英 2001.9.7
进入国家日期： 2002.08.28
专利代理机构：北京纪凯知识产权代理有限公司
代理人：戈泊;程伟
摘要
　本发明揭示一种评估晶圆架构制成过程的方法，此方法包括真实掩模图案轮廓的提取，以及使用真实掩模图案以获得一种仿真晶圆架构(350′)的光刻制程的仿真。该真实掩模图案轮廓的提取可以包括，例如，将使用一种扫描式电子显微镜(SEM)(105)的真实掩模(107)成像。藉由仿真光刻制程，使用过去用于制造真实掩模图案的理想掩模图案设计，而可以同样地获得第二仿真晶圆架构(350″)。因此，可以藉由比较这两种仿真晶圆架构，而来评估掩模图案效应对所有晶圆邻近效应的相对贡献。于是可以使用这种信息，以产生光学邻近更正(OPC)掩模设计，该设计补偿了掩模图案误差，并且给予良好的晶圆性能。
主权项
　权利要求书 1.一种分析晶圆制造过程的方法，该方法包括：将至少一部份的掩模(107)成像，该掩模(107)将使用于晶圆架构形成制程；以及仿真使用数据的光刻制程，该数据由部份掩模的成像而接收或得到，藉此获得仿真的晶圆架构(350′)。

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