制造自旋开关薄膜的方法和制造磁阻效应磁头的方法<%=id%>

分类号： H01L43/08;H01L43/12;G11B5/39;G01R33/09;H01F10/32
颁证日：
优先权： 2000.12.26 JP 395861/2000
申请(专利权)人：索尼公司
地址：日本东京都
发明 (设计)人：牧野荣治
国际申请： CT/JP01/10403 2001.11.28
国际公布： WO02/052658 日 2002.7.4
进入国家日期： 2002.08.26
专利代理机构：北京市柳沈律师事务所
代理人：李晓舒;魏晓刚
摘要
　在一个溅射薄膜形成腔室内，在一个基底上形成用作自旋开关薄膜的非磁性层的铜薄膜，薄膜在该腔室内在减压条件下借助溅射工艺形成；在一个导入有活化铜薄膜表面的气体的气体暴露腔室内将基底暴露于一种气体气氛中；以及，再次将该基底移动到该溅射薄膜形成腔室，以形成所述自旋开关薄膜的其余部分。
主权项
　权利要求书 1.一种制造自旋开关薄膜的方法，该自旋开关薄膜包括：一个反铁磁层；一个固定磁化层，该层利用一个作用于该固定磁化层与反铁磁层之间的交换耦合磁场而在一个规定方向上被磁化；一个自由磁化层，该自由磁化层具有一个与外部磁场相一致的磁化方向；以及一个由铜薄膜制成的非磁性层，该非磁性层将固定磁化层与自由磁化层磁性隔离开，这些层一层在另一层上地叠置在至少一个基底上，所述方法包括：在一个薄膜形成溅射腔室内借助于在减压条件下进行的溅射工艺，在所述基底上形成一些层，这些层的最后一层是用作非磁性层的铜薄膜；在一个充满气体的气体暴露腔室内将所述基底暴露于一种气体气氛中，其中，所述气体对所述铜薄膜的表面进行活化；以及在所述薄膜形成溅射腔室内，在所述基底上形成所述自旋开关薄膜的其余层。

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