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    短波长激光模件及其制造方法<%=id%>


    颁 证 日:
    优 先 权: 2000.12.28 JP 400441/2000;2001.10.19 JP 321677/2001
    申请(专利权)人: 松下电器产业株式会社
    地 址: 日本国大阪府门真市
    发 明 (设计)人: 森川顕洋;北岡康夫;山本和久;瀧川信一
    国 际 申 请: CT/JP01/11525 2001.12.27
    国 际 公 布: WO02/054548 日 2002.7.11
    进入国家日期: 2002.08.26
    专利 代理 机构: 上海专利商标事务所
    代 理 人: 沈昭坤
    摘要
      在短波长激光模件中,光路端面上粘附着不需要的气体,导致长期可靠性的丧失。本发明将短波长激光模件做成在气密密封时使用的组件盖(201)和内部气体不接触的组件结构,通过采用促进组件内部使用的固定聚合的工序,从能够除去固定剂的不需要的气体,确保输出的长期可靠。
    主权项
      权利要求书 1.一种短波长激光模件,其特征在于,具备 至少包括半导体激光器,输出短波长激光的发光器件、 有配置所述发光器件的配置面和围着所述配置面的壁面的容器主体、 和所述容器主体接合,其一部分与所述配置面及所述壁面一起形成收容所述 发光器件的收容空间的盖部、以及 接合所述容器主体和所述盖部的粘接剂, 所述容器和所述盖部接合,使得具有搭接并紧密贴合的密封面, 所述密封面设在所述粘接剂和所述收容空间之间。
         

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