高强度磁场开式磁共振成像隔磁系统及方法<%=id%>

颁证日：
优先权： 2001.9.13 US 09/682519
申请(专利权)人：通用电气公司
地址：美国纽约州
发明 (设计)人： Y·王;E·T·拉斯卡里斯
国际申请：
国际公布：
进入国家日期：
专利代理机构：中国专利代理(香港)有限公司
代理人：曾祥凌;黄力行
摘要
　一种垂直对准的开式磁共振成像磁体系统(10)包括第一和第二(亦即，顶部和底部)(12，14)组件，各自拥有纵向延伸且垂直对准的轴(22，28)，超导主线圈(24，30)，及包围着该主线圈的真空外壳(26，32)。至少一个支撑梁(16，18)具有附着到该第一组件(12)上的第一端(34)和附着到该第二组件(14)上的第二端(36)。隔振系统(20)支持着该磁体系统。
主权项
　权利要求书 1.一种开式磁共振成像系统，其包括：一开式磁共振成像磁体系统(1，10)；和一适合于支持该磁共振成像磁体系统的隔振系统(2，20)。

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