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    抛光组合物<%=id%>
    小擦痕的方法，它包括使用上述的抛光组合物抛光欲被抛光的基片；以及一种制造基片的方法，它包括使用上述的抛光组合物抛光欲被抛光的基片。该抛光组合物适用于最后抛光记忆硬盘基片和抛光半导体元件。
    主权项
    　 权利要求书 1.一种抛光组合物，它包含平均初级粒度为200纳米或更小的磨料、氧化 剂、pK1为2或更小的酸和/或它的盐、和水，其中该抛光组合物的酸值为 20mgKOH/g或更小和0.2mgKOH/g或更高。
         

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