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本发明提供一种研磨用组合物，可以同等研磨速度研磨钨膜和绝缘膜，其结果是创造出平坦性良好的，无研磨损伤，不受铁离子等杂物污染的研磨面。该研磨用组合物含有(a)二氧化硅、(b)过碘酸、(c)pH调整剂、和(d)水，研磨至少具有钨膜和绝缘膜的半导体器件，及使用该研磨用组合物的研磨方法。该研磨用组合物是适宜半导体装置的精加工研磨。
主权项
权利要求书
1.一种研磨用组合物，用于研磨至少具有钨膜和绝缘膜的半导体器件，
其特征是，含有以下(a)～(d)成分
(a)二氧化硅
(b)过碘酸
(c)选自氨、氢氧化钾、氢氧化钠、过碘酸铵、过碘酸钾和过碘酸钠的
至少1种pH调整剂
(d)水。
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