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结晶硅薄膜半导体器件,光电器件及前者的制造方法<%=id%> |
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表面接触,之后,热处理非晶硅层使其结晶,由此形成P型多晶硅层。该多晶硅层有晶体取向和高结晶度。用该多晶硅层作籽晶形成有晶体取向和高结晶度的P_型多晶硅层。并在多晶硅层上顺序形成i_型和n_型多晶硅层。用上述结构,能制成有结晶硅的高结晶度,晶体取向,优良性能和高生产合格率的结晶硅薄膜半导体器件。
主权项
权利要求书
1、结晶硅薄膜半导体器件,包括:
导电衬底或其表面上有导电层的衬底;
晶体取向的第1多晶硅层,它的形成方法是,金属催化剂元素引入导电衬
底或导电层表面上形成的非晶硅层,或者,金属催化剂元素与非晶硅层的表面
部分接触,热处理非晶硅层使其结晶;和
用第1多晶硅层作籽晶形成的与第1多晶硅层有相同导电类型的第2多晶
硅层。
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