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分包括在施加写入电压时通过绝缘体扩散的扩散性导体。扩散性导体形成通过绝缘体的导电路径，使栅线耦合到浮栅，改变了栅电容因而也是存储单元的状态。存储单元是三端器件，读出电流在读出过程中不通过存储单元中的导电路径(CP)。由于读出电流不干扰存储单元中的存储机制，故使存储单元变得坚固耐用。可以用使用同一个掩模的多个步骤来制造存储器阵列。
主权项
权利要求书
1.一种对包含多个三端存储单元(200，400)的存储器阵列(100)
进行写入的方法，此方法包含：
将写入电压施加到被选择的存储单元(200，400)，此写入电压
使导电元素通过被选择的存储单元(200，400)扩散，并改变存储单
元(200，400)的电容。
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