半导体装置及其制造方法<%=id%>

颁证日：
优先权： 2001.9.11 JP 2001－274544
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社
地址：日本大阪府
发明 (设计)人：栗本一实;加藤义明
国际申请：
国际公布：
进入国家日期：
专利代理机构：中科专利商标代理有限责任公司
代理人：汪惠民
摘要
　一种半导体装置及其制造方法，在设置有元件和下层布线52、56的基板上，沉积层间绝缘膜18后，在层间绝缘膜18上，分别形成在内部元件区域上到达布线56的通路孔70，和在芯片区域外周部上到达环状衬垫16的环状槽30。其次，通过将形成在层间绝缘膜18上的感光胶图形Fr2作为掩膜进行蚀刻，在内部元件区域形成比通路孔70宽的布线用槽71。这时，由于环状槽30中位于芯片区域外周部的边部的部分，被感光胶图形Fr2的局部所埋，所以可以减少从环状槽30的底面飞散的Cu。从而提供一种在形成密封圈构造时所发生的等离子损害和布线电阻的差异小的半导体装置及其制造方法。
主权项
　权利要求书 1.一种半导体装置，其特征在于，包括：由设置在基板上半导体层的上方的各个多个的层间绝缘膜及各个多条布线组成的多个布线层；用于将所述多个布线层的布线与布线或布线与半导体层沿纵向连接的插塞；设置有设置在所述半导体层上的元件、所述布线层及所述插塞的内部元件区域；以及设置在所述半导体层上的贯穿所述多个的层间绝缘膜、并围住所述内部元件区域的环状密封圈，所述多个的层间绝缘膜中的至少一层层间绝缘膜，埋住所述多个布线层中的一层布线层中的布线及与该布线连接的插塞周围，所述密封圈中至少贯穿一层层间绝缘膜的部分，具有至少局部从该层间绝缘膜的上端延伸到下端的纵板状环状壁。

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