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分 类 号：
H01L29/78;H01L21/336
颁 证 日：
优 先 权：
2001.8.10 JP 243724/2001
申请(专利权)人：
三洋电机株式会社
地 址：
日本大阪府
发 明 (设计)人：
菊地修一;木绵正明
国 际 申 请：
国 际 公 布：
进入国家日期：
专利 代理 机构：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代 理 人：
王永刚
摘要
提供一种提高漏极耐压的半导体器件。本发明的半导体器件的特征是，在P型半导体基板1内形成P阱区域5，在其上至少形成膜厚度厚的栅绝缘膜9和膜厚度薄的栅绝缘膜10，隔着该膜厚度厚的栅绝缘膜9和膜厚度薄的栅绝缘膜10形成栅电极(25E)，被离子注入到上述栅电极(25E)下部的阈值电压调整用的杂质，只在上述膜厚度薄的栅绝缘膜10的下部进行。
主权项
权利要求书
1、一种半导体器件，在半导体层上隔着栅绝缘膜形成有栅电极，
与该栅电极相邻形成有源漏区域，其特征在于：
在上述栅绝缘膜的下部形成的阈值电压调整用的离子注入层，在
上述源区域侧和上述漏区域侧具有不同的杂质浓度。
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