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分 类 号:
H01L29/872;H01L21/328
颁 证 日:
优 先 权:
2001.8.30 JP 261533/2001
申请(专利权)人:
三洋电机株式会社
地 址:
日本大阪府
发 明 (设计)人:
浅野哲郎;小野田克明;中岛好史
国 际 申 请:
国 际 公 布:
进入国家日期:
专利 代理 机构:
北京市柳沈律师事务所
代 理 人:
杨梧;马高平
摘要
一种肖特基势垒二极管及其制造方法。目前,由于有台面型晶体管蚀刻及厚的聚酰亚胺层等,故不能推进芯片的小型化,并且,电极间存在距离,不能提高特性。另外,其制造方法中肖特基结部分的蚀刻控制很困难。本发明通过在基板表面设置n+型离子注入区域,不再需要设置台面及聚酰亚胺层,可实现化合物半导体的平面型肖特基势垒二极管。由于可使电极间距离接近,可实现芯片的缩小,也可提高高频特性。由于形成肖特基结区域时不蚀刻GaAs,故可制造再现性好的肖特基势垒二极管。
主权项
权利要求书
1.一种肖特基势垒二极管,其特征在于,包括:化合物半导体基板;
设在该基板上的平坦的一导电型外延层;穿透所述外延层而设置的一导电型
高浓度离子注入区域;第一电极,其在所述高浓度离子注入区域形成欧姆结;
第二电极,其与所述外延层形成肖特基结且成为电极的取出部。
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