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			您现在的位置在：  首页>>专利 >>专利推广 氮化物半导体光发射装置及其制造方法<%=id%> 一种光发射装置，该装置包括在Si衬底上从Si衬底起按顺序依次重叠的p型氮化物半导体层、发光层和n型氮化物半导体层。部分地除去所述Si衬底，以露出p型氮化物半导体层的一部分。在p型氮化物半导体层露出的区域上形成p型电极。 主权项 　 权利要求书 1.一种氮化物半导体光发射装置，该装置包括：在硅衬底上从硅衬底 起按顺序依次重叠的p型氮化物半导体层、发光层和n型氮化物半导体层， 其中S i衬底被部分地去掉，暴露出p型氮化物半导体层的一部分，在p型氮 化物半导体层的暴露的区域上形成p型电极。

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