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r>分 类 号：
H03K19/00;H03K19/02
颁 证 日：
优 先 权：
2001.8.31 JP 262659/2001;2002.6.6 JP 165059/2002
申请(专利权)人：
株式会社日立制作所
地 址：
日本东京
发 明 (设计)人：
菅野雄介;水野弘之;柳泽一正
国 际 申 请：
国 际 公 布：
进入国家日期：
专利 代理 机构：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代 理 人：
王永刚
摘要
具备接受第1信号，输出更大振幅的第2信号的差动型电平变换电路的半导体器件，上述差动型电平变换电路具有：接受第1信号的第1MISFET对；对第1MISFET对进行耐压缓和的第2MISFEET对；锁存要输出的第2信号且具有交叉耦合栅极的第3MISFET对，第2MISFET对栅极绝缘膜比第1MISFEET对栅极绝缘膜厚，第3MISFET对栅极绝缘膜比第1MISFET对栅极绝缘膜厚，第2MISFET对阈值电压的绝对值比第3MISFEET对阈值电压的绝对值小，第1MISFET对阈值电压的绝对值比第3MISFET对阈值电压的绝对值小。即便电平变换振幅差大到4倍以上也可以进行高速电平变换。
主权项
权利要求书
1.一种具备接受第1信号，输出比上述第1信号还大的振幅的
第2信号的差动型电平变换电路的半导体器件，上述差动型电平变换
电路，具有：
用来接受上述第1信号的第1MISFET对；
用来对上述第1MISFET对进行耐压缓和的第2MISFET对；
用来锁存要输出的上述第2信号，且具有交叉耦合的栅极的第
3MISFET对，
上述第2MISFET对的栅极绝缘膜的膜厚，比上述第1MISFET
对的栅极绝缘膜的膜厚还厚，
上述第3MISFET对的栅极绝缘膜的膜厚，比上述第1MISFET
对的栅极绝缘膜的膜厚还厚，
上述第2MISFET对的阈值电压的绝对值，比上述第3MISFET
对的阈值电压的绝对值还小，
上述第1MISFET对的阈值电压的绝对值，比上述第3MISFET
对的阈值电压的绝对值还小。
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